
효율적인 floorplan를 위한 기본 가이드 라인 - 아날로그 및 디지털 블록의 동작 특성을 파악하여 전력 소모, 노이즈 등을 고려- 전체 면적을 최소화 하도록 불필요한 빈 공간이 없도록 배치- 최단 거리의 배선- 매칭이 중요한 레이아웃 우선으로 배치- 바이어스 공급 블록 또는 제어신호 공급 블록은 중앙부에 배치- 되도록 직사각형에 가깝게 전체 모양을 조정 전체적으로 남는 면적이 생기면 VDD와 GND 사이의 전원 안정화를 위한 캐패시터를 배치하거나 차후에 메탈레이어만 수정하여 배선을 바꾸어 회로를 변경시킬 수 있도록 할 수 있는 dummy cell을 넣는다. 전체 칩의 주요 블록 특성 확인- 고속의 동작을 요구하는 블록- 저잡음 특성을 요구..

배치 (Placement) 평면 계획의 다음 단계는 배치이다.평면 계획의 목표는 셀들의 상대적인 위치를 정하는 것이라면, 배치의 목표는 셀들의 절대적인 위치를 정하는 것이다. 배치 툴은 평면 계획에 서 정해진 셀들을 입력으로 하여 실행된다. 배치 툴은 전체 칩의 면적과 전력 소모, 그리 고 지연 시간을 최소화하는 셀들의 위치를 구한다. 필요에 따라 셀들의 회전이나 반전 등 을 통해 보다 나은 결과를 얻을 수 있다. 배선 (Routing) 배치의 다음 단계는 배선이다.배선은 셀들의 위치와 네트리스트 정보를 입력으로 하여 각 셀들을 연결하는 실제적인 배선 레이아웃을 생성하는 과정이다. 배선은 그림과 같이 전역 배선과 상세 배선의 2단계로 나뉜다. 그림은 개념적인 모양을 보여주고 있는데, 왼쪽의 ..

자동 배치 배선 환경 구축 및 배치 계획 셀 라이브러리 (Cell Library) 사용자의 특정한 용도에 적합하도록 만들어지는 주문형 집적회로(ASIC, Application Specific IC)를 설계하는 방식으로 분류하면 그림과 같이 크게 완전주문형 IC, 반주문 형 IC 그리고 FPLD(Field Programmable Logic Device)로 나눌 수 있다.반주문형 IC도 크게 2가지가 있는 데, SOG(Sea-of-Gates) 방식과 표준 셀 방식이다. 각각 의 특징을 정리하면 다음과 같다.SOG 방식은, 레이아웃은 기본셀이라 불리는 셀의 2차원 배열로 이루어지며, 이 기본셀들 은 NAND 또는 NOR 게이트 구조로 구성되어 있다. 이것은 어떠한 논리 함수도 NAND나 NOR 게이트만을..
공정의 설계 권고사항(Design Guide) 반도체 공정은 트랜지스터의 분류와 같이 바이폴라 공정, CMOS 공정, BiCMOS 공정, 화합 물 반도체 공정 등으로 나뉜다. 반도체 공정을 제공하기 위해서는 대규모의 투자가 요구 되므로, 전세계적으로 몇몇의 업체가 파운드리(foundry)라고 불리는 공정을 대표적으로 진 행하고 있다. 현재 많은 수의 집적회로 설계 업체는 설계 데이터를 파운드리 업체에 제공 하여 공정을 의뢰하게 된다. 공정에 직접 관련된 엔지니어에게는 각각의 반도체 단위 공정에 대한 깊이 있는 지식과 반도체 공정 장비에 대한 이해가 필요하지만 반도체 레이아웃 설계자의 입장에서는 그 공 정의 특징을 대표하는 몇 가지 기본 지식만 있으면 일단은 충분하다. 현재 가장 많이 선 택되는 CM..
설계 규칙의 이해와 레이아웃 수행 반도체 칩(chip)과 레이아웃반도체 칩(chip)을 제작하기 위한 과정은 여러 가지 기계적 장치 및 물리․화학적 재료를 필요로 하는 반도체 공정(process)으로 진행된다. 반도체 공정을 통한 반도체 칩의 제작은 주로 자외선(UV)을 이용한 광 리소그라피(photo lithography) 기법에 의해 에칭, 확산, 이온 주입 등의 단위 공정으로 이루어지는데 이 때 각각의 공정을 진행하기 위한 기본 틀인 마스크(mask)가 필수적이다. 마스크를 제작하기 위한 반도체 집적회로의 실제 패턴 도면을 레이아웃이라고 한다. 반도체 칩의 특성은 우선 반도체 공정의 특성에 의해 기본적인 성능 및 한계가 정해지지만 공정의 특성을 잘 이해하고 있는 회로 설계자의 능력에 따라 가격..
효율적인 배선을 위한 기본 가이드라인반도체 레이아웃 설계에서 셀 또는 블록의 배치뿐만이 아니라 배선이 매우 중요한데 배선은 대부분 저항이 낮은 금속성 레이어인 메탈(metal) 레이어를 이용하여 이루어진다. 배선 거리가 짧은 경우에는 제한적으로 액티브(active) 레이어 및 폴리(poly) 레이어도 배선에 사용될 수 있다. metal1 레이어 배선과의 접점은 액티브 영역(active contact)과 폴리 영역(poly contact)으로 구성되며, 그 외에는 인접한 상・하위 메탈 간에 비아(via)를 이용한 접점이 있게 된다. 또한 래치-업(latch-up)을 방지하고 누설 전류 및 잡음 특성을 개선하기 위한 웰 콘택(well contact)과 기판 콘택(substrate contact)이 있다..