패키지 특성 이해 능동소자 – 다이오드, 트랜지스터 -      전기에너지를 발생할 수 있는 능력을 갖춤 수동소자 – 저항, 인덕터, 콘덱서-      에너지를 소비, 축적하거나 그대로 통과시키는 작용 PCB 기반의 잡음 문제 해결을 위해서는 공진과 임피던스 최적화 기생 성분 RLC-      Package의 Wire Bonding 에 의해 발생 선로간 간섭 (cross talk)-      SI나 EMI를 다룰 때 모든 선로들이 서로 간섭, 모든 선로는 inductor라고 볼 수 있다. 신호 무결성-      전기 신호의 품질에 대한 척도-      디지털의 출력신호가 PCD 등으로 구성된 채널을 통해 통과될 때 측정되는 신호의 패턴이 잡음, 왜곡 없이 원래의 값이 보존되고 전달되는 것 -      실..

웨이퍼 범핑 공정 개발하기 재배열 (RDL, Re-Distribution Layer) 알루미늄 패드의 위치를 임의로 변경하는 것을 총칭 웨이퍼 레벨 패키지 (WLP) - 웨이퍼 안 짜르고 그냥 패키지 재부동태화 (Re-Passivation) - I/O 패시베이션 개구가 표준 플립 칩 범프에 비해 작거나 너무 크게 되는 문제에 대해 보정 UBM (Under Bump Metalization) 형성 - 칩 패드와 솔더 범프 사이에서 UBM 층 형성이 필수적으로 요구 (barrier metal) 솔더 볼(범프) 형성 기판과 패드를 전기적으로 연결 - 플립 칩 설계 고려사항 (칩을 뒤집는다) 1. 신호선 폭과 간격 미세화, 기판의 층수의 최소화 2. 블라인드 및 매몰 비아/비아 드릴 기술 3. 코어 비아 한계치 ..

패키지 전 공정 개발 패키지 공정 순서 1. Wafer Test & sort 2. Die Separation EDS Test – DC Test, AC Test function test를 통과한 good die를 절단 3. Die attach (리드 프레임에 다이 접착) 4. 에폭시 수지로 밀봉, Wire Bond (와이어 or 솔더볼(납&주석)로 연결) 5. tream and form 후 Plastic Package 6. Final Package & Test 후면 연마 - 절단하기 전 뒷면을 갈아주는 것 - 백그라인딩이라 하며, 회로 소자가 완성된 웨이퍼를 패키지 공정 및 특성에 적합한 두께로 만들기 위해 웨이퍼의 후면을 연삭하는 과정 - 후면 연마 이전 다이싱 라미네이션 - 반도체 웨이퍼의 뒷면을 연삭..

패키지 레벨 성능 검증 테스트 핸들러- 테스터 결과에 따라 소자 혹은 모듈의 불량 여부를 판정하여 그 결과에 따라 등급별로 자동 분류하여 수납시키는 핸들링 장치- 소자 이동 방식에 따른 분류 – 수직식 테스트 핸들러 – Track (디바이스를 test site로 보내는 장치로 디바이스를 한 개씩 테스트 위치로 흘러보냄)- 테스트 핸들러 장비 선정 시 고려사항- 테스트 시간 단축 패키지 레벨 수율 영향 요소1.     웨이퍼 레벨에서 기인하는 요소- 진행성 요소 – 금, 기공, 불순물 등의 이동으로 인한 특성 변화- 정전기- 테스트 규격에 벗어난 양품 2.     패키지 공정에서 기인하는 요소-  웨이퍼 백 그라인딩 공정-  웨이퍼 소잉 공정-  다이 본딩 공정-  와이어 본딩 공정-  몰딩 공정-  도금..

제품 사양과 특성을 기준으로 시험 장비를 선정하고, 웨이퍼 상태에서 또는 조립 완료 후의 조립품 상태에서 테스트 패턴을 적용하여 전기적 특성 및 동작 특성을 검사하여 양산성을 검증하고, 양품 여부를 판별할 수 있다. 핵심용어 :  웨이퍼 레벨 테스트, EBS(electrical die sort), Parametric test, Laser test, Multiprobr test, Probe station. Probe card, FMEA(failure mode effective analysis), 수율, DUT (device under test) 웨이퍼 레벨 기능 검증 DC parametric 테스트 (ET Test)- 개별 소자(트랜지스터, 저항, 캐패시터, 다이오드)들의 특성 파라미터 test 웨이퍼 번..

수명 시험 평가 ⭐ 가속 수명 시험의 목적일정한 기간 동안 주어진 조건 하에서 연관된 factor들이 많기 때문에 가속 계수를 이용한 방법을 가속 수명 시험이라 한다.⭐ 고장률 수명 곡선은 Bath Tube 형태이고 3가지가 있다.⭐ 반도체 고장 유형 분석의 목적가속 계수를 산출함으로써 신뢰성(예상 수명시간)을 예측할 수 있고 개선 대책을 수립할 수 있다. ⭐ 수명 시험에서 발생 가능한 고장 유형 - Electro-Migration (EM) 의 유형별 분류 : Metal-Migration, Contact-Migration, Stress-Migration-   Hot Electron영향 : Latch up 유발 ⭐ 불량 분석 기법-      전기적 분석 (Electrical Analysis)(가)  DC ..