번인(burn in) 장비 선정 시 고려사항 반도체 공정의 미세화에 의해 고객이 사용하는 전압 범위와 반도체 소자의 스트레스에 대한 가능한 임계값의 차이가 점차 감소된다. 따라서 가능한 범위에서 짧은 시간에 신뢰성 확보를 위해 소자에 인가할 수 있는 신호의 품질을 향상하기 위한 기술의 발달이 필요하다. 1. 패키지 레벨 번인(Package Level Burn-In) 패키지 번인은 고온의 챔버에 제품을 삽입하고 standby 상태에서 소자 전원을 고객이 실제 사용하는 것보다 가혹한 조건의 고전압을 장시간 인가하여 신뢰성을 확보하는 단계에서 반도체 제품이 active 상태로 되도록 각 핀에 신호를 인가하는 방식으로 진행한다. 메모리 반도체에서 timing 특성과 연관이 작은 테스트 항목에 대해 번인 시..
번인(burn in) 장비 메모리 반도체에서 번인 공정을 도입하는 주요 이유는 반도체 소자에 고온 조건하에 임계값에 가까운 전압을 가한 상태(일반적으로 고객이 1년 이상 사용하는 정도의 스트레스를 가한 상태)에서 제품을 동작시켜 실제 사용 시 발생할 수 있는 반도체 제품의 불량을 조기에 검출하기 위해서이다. 패키지 상태에서의 번인(PLBI: package level burn-in)공정은 메모리 소자들을 번인 보드의 소켓에 삽입한 뒤 챔버 안에 넣고, 일반적으로 125℃에서 일정 시간 동안 소자에 일련의 기능 테스트를 수행하여 제품의 기능이 정상 혹은 비정상인지 가려낸다. 최근에는 메모리 용량이 기하급수적으로 증가함에 따라 번인시간이 길어지고, 실장의 집적도를 높이기 위해 시도되는 SiP(system..
(나) 수평식 핸들러 반도체 소자가 다기능화, 고급화, 고집적화가 되면서 pin 수가 급격히 증가하게 되었는데, 이에 부응하기 위하여 QFP, BGA, CSP 등의 새로운 패키지가 등장하게 되었다. 이러한 패키지들은 그 특성상 튜브에 담을 수가 없고 반드시 tray에 담아서 운반이 된다. 그러므로 이들 패키지들을 테스트할 때에는 튜브로부터 소자를 자유 낙하시키는 수직식을 사용할 수가 없다. 그러므로 이들 패키지들을 테스트하고자 할 때에는 자유낙하를 이용하는 수직식과는 달리, 디바이스가 담겨진 customer tray를 stacker에 loading하면 로봇이 소자들을 테스트하고자 하는 위치로 강제 이송하는 방식을 취하는 수평식 테스트 핸들러를 사용해야 한다. 이러한 수평식 테스트 핸들러는 QFP, BGA..
웨이퍼 상의 수율 변화 분석 수율의 정의 수율(yield)은 투입량 대비 완성된 양품의 비율로, 반도체 수율은 제조 단계에 따라 FAB 수율, 테스트 수율, 조립 수율, 실장 수율로 구분하며 이 4가지 수율을 곱하면 전체(CUM) 수율이 된다. 웨이퍼 레벨 수율의 영향 요소 1. 웨이퍼 직경의 증가 웨이퍼의 직경은 생산 효율성을 증진시키기 위해 커져왔다. 웨이퍼 직경의 증가는 각 웨이퍼에 부분적인 다이 칩이 더 적은 비율로 존재하게 된다. 부분적인 다이 칩은 비기능적이다. 이 부분적인 다이 칩은 수십 차례의 공정을 거치는 동안 공정이 온전히 이루어지지 못한다. 가장 큰 영향을 주는 공정은 포토 공정으로 칩 단위의 노광 공정이 아닌 샷(shot) 단위의 공정 특성 때문에 샷의 초점이 흐트러질..